描述：IA-DJYJP3VP3R-300/500V-1022.5-計算機電纜結構：交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜-由安徽華強電纜有限公司IA-DJYJP3VP3R-1022.5計算機電纜。

產(chǎn)品型號：
廠商性質：生產(chǎn)廠家
更新時間：2025-02-07
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產(chǎn)品介紹/ PRODUCT PRESENTATION

IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在爆炸危險的場合以及其它防爆安全要求較高的場合，傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜，簡稱本安DCS系統(tǒng)用電纜，具有優(yōu)異的屏蔽性能和抗干擾性能，因此防爆安全性能明顯高于一般DCS系統(tǒng)電纜和計算機控制電纜。

IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜執(zhí)行標準：采用企業(yè)標準生產(chǎn)

IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜使用特性：

1、交流額定電壓U0/U：300/500V
2、電纜導體允許zui高工作溫度：聚氯乙烯絕緣為70℃；交聯(lián)聚乙烯絕緣為90℃；無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣為70℃。
3、zui低環(huán)境溫度：固定敷設-40℃；非固定敷設-15℃；安裝敷設時環(huán)境溫度：不低于0℃。
4、電纜允許彎曲半徑：非鎧裝、編織屏蔽電纜不小于電纜外徑的6倍；銅帶屏蔽、鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。

計算機電纜型號和名稱：

型號	名稱
IA-DJYPVP	聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYPVPR	聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYP3VP3	聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYP3VP3R	聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYP2VP2	聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYP2VP2R	聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYJPVP	交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYJPVPR	交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYJP3VP3	交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYJP3VP3R	交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYJP2VP2	交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYJP2VP2R	交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
WDZ-IA-DJYPVP	無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安DCS電纜
WDZ-IA-DJYPVPR	無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜
WDZ-IA-DJYP3VP3	無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
WDZ-IA-DJYP3VP3R	無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
WDZ-IA-DJYP2VP2	無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
WDZ-IA-DJYP2VP2R	無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜

計算機電纜技術參數(shù) ：1、20℃導體直流電阻及導體結構

標稱截面（mm2）	導體結構（根數(shù)/單絲直徑mm）			20℃直流電阻≤（Ω/km）
標稱截面（mm2）	A類	B類	R類	A、B類	R類
0.5	1/0.8	7/0.3	16/0.2	≤36.0	≤39.0
0. 75	1/0.97	7/0.37	24/0.2	≤24.5	≤26.0
1.0	1/1.13	7/0.43	32/0.2	≤18.1	≤19.5
1.5	1/1.38	7/0.52	30/0.25	≤12.1	≤13.3
2.5	1/1.78	7/0.68	49/0.25	≤7.41	≤7.98

2、20℃絕緣電阻

性能項目	PVC絕緣	PE、XLPE絕緣
20℃時絕緣電阻MΩ.KM	≥25	≥500

3、電纜應經(jīng)受工頻交流電壓試驗：2000V/1min絕緣不發(fā)生擊穿，試驗溫度為環(huán)境溫度。
4、工作電容（1KHZ）：線芯與線芯≤90PF/m
5、分布電容（1KHZ）≤0.6μH/m
6、電磁干擾感應電壓（干擾磁場400A/m）≤5mV
7、靜電感應電壓（靜電電壓20KV）＜1V
8、輻射場透入強度（干擾場強120dBμV，干擾場頻率200MHZ）≤dB。

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